在半導體、航天航空、汽車電子等高端領域，CMOS 器件常面臨 - 55℃~ 室溫的極端低溫工況。低溫環(huán)境下，器件的閾值電壓、漏電流、載流子遷移率等核心電學參數(shù)會發(fā)生顯著漂移，若測試不精準，可能導致終端產(chǎn)品可靠性隱患 —— 從芯片失效到航天設備故障，后果不堪設想。

而低溫電學測試的核心痛點，在于如何構建穩(wěn)定、精準的低溫環(huán)境，同時保障測試過程中器件的電學連接可靠性。我們自主研發(fā)的冷熱臺，正是針對這一需求，為 CMOS 器件低溫測試提供了一體化解決方案。

某大學所利用該方案測定不同溫度下芯片/器件的電學特性

冷熱臺在CMOS 低溫測試中的三大核心應用

1. 關鍵電學參數(shù)精準測試

測試指標：閾值電壓（Vth）、漏電流（Ioff）、跨導（gm）、載流子遷移率等；

核心價值：-196℃~600℃寬溫域（支持定制），控溫精度 ±0.1℃、均勻性≤±0.5℃，搭配高導熱低漏電樣品臺，確保測試重復性。

2. 低溫可靠性與老化測試

測試場景：低溫長時間老化、-55℃→室溫循環(huán)沖擊測試；

核心價值：0.1~10℃/min 可調(diào)升降溫速率，密封腔體隔絕環(huán)境干擾，滿足多行業(yè)可靠性標準。

3. 故障定位與失效分析

測試場景：低溫下器件異常發(fā)熱、功能失效排查；

核心價值：精準調(diào)節(jié)局部溫度梯度，兼容探針臺、參數(shù)分析儀等設備，實現(xiàn)“控溫 + 測量” 同步聯(lián)動。